💻 Samsung показала zHBM: память над AI-ускорителем
На FMS 2026 Samsung представила концепты 3D-памяти: zHBM — HBM вертикально над AI-ускорителем (xPU), и zNAND-O — NAND-flash для on-device AI. Заявлено до 8x производительности против HBM5 и до 10x плотности с wafer bonding. Это макеты, без сроков.
🌍 Память над ускорителем сокращает путь данных между памятью и чипом — удар по узким местам AI-систем: пропускной способности, энергии и теплу. Samsung вступает в гонку HBF-подобной NAND для edge AI с SK hynix и Sandisk.
👤 Если zHBM дойдёт до серии, AI-системы станут быстрее и холоднее. Следите за тремя треками: zHBM и zNAND-O, выход HBM4E и HBM5, V10 BV-NAND на 400+ слоёв.
Источник 1: https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-next-gen-3d-memory-vision-at-fms-2026-charting-the-future-of-ai-infrastructure Источник 2: https://news.samsungsemiconductor.com/global/inside-fms-2026-samsung-electronics-showcases-the-future-of-ai-memory/